Name: SSM3K341R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K341R,LXHFTR-ND
Price: 4.551 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3K341R,LXHF
Numer produktu DigiKey	264-SSM3K341R,LXHFTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-SSM3K341R,LXHFCT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3K341R,LXHF
Opis	AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 6A (Ta) 1,2W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23F
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3K341R,LXHF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 100µA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 9.3 nC @ 10 V
Seria U-MOSVIII-H	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 550 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,2W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 175°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23F
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 36mOhm przy 5A, 10V	Obudowa / skrzynia SOT-23-3, płaskie odprowadzenia

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 31 295

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT)

Taśma i szpula (TR)