Name: FDN5632N-F085
Brand: onsemi
SKU: FDN5632N-F085TR-ND
Price: 4.9077 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDN5632N-F085
Numer produktu DigiKey	FDN5632N-F085TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDN5632N-F085CT-ND - Taśma cięta (CT) FDN5632N-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDN5632N-F085
Opis	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 1,7A (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDN5632N-F085 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (maks.) ±20V
Seria PowerTrench®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 475 pF @ 15 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 1,1W (Ta)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,7A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 82mOhm przy 1,7A, 10V	Bazowy numer produktu FDN5632
Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA