Name: SSM3J35CTC,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35CTCL3FTR-ND
Price: 1.2177 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J35CTC,L3F
Numer produktu DigiKey	SSM3J35CTCL3FTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J35CTCL3FCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J35CTCL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J35CTC,L3F
Opis	MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy CST3C
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J35CTC,L3F Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVII
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	250mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,2V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4Ohm przy 150mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 100µA
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	42 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	CST3C
Obudowa / skrzynia	SC-101, SOT-883
Bazowy numer produktu	SSM3J35

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 19 029

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)