Name: CSD86330Q3D
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-28216-2-ND
Price: 13.776 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CSD86330Q3D
Numer produktu DigiKey	296-28216-2-ND - Taśma i szpula (TR) 296-28216-1-ND - Taśma cięta (CT) 296-28216-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Texas Instruments
Numer produktu producenta	CSD86330Q3D
Opis	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	6 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 25V 20A 6W Montaż powierzchniowy 8-LSON (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CSD86330Q3D Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9,6mOhm przy 14A, 8V
Producent Texas Instruments	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,1V przy 250µA
Seria NexFET™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 6,2nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 920pF przy 12,5V
Status części Aktywny	Moc - maks. 6W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (półmostek)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-PowerLDFN
Napięcie dren-źródło (Vdss) 25V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-LSON (3,3x3,3)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 20A	Bazowy numer produktu CSD86330Q3