Name: CSD86311W1723
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-27599-2-ND
Price: 7.0725 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CSD86311W1723
Numer produktu DigiKey	296-27599-2-ND - Taśma i szpula (TR) 296-27599-1-ND - Taśma cięta (CT) 296-27599-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Texas Instruments
Numer produktu producenta	CSD86311W1723
Opis	MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Standardowy czas realizacji przez producenta	6 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 25V 4,5A 1,5W Montaż powierzchniowy 12-DSBGA
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CSD86311W1723 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 39mOhm przy 2A, 8V
Producent Texas Instruments	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,4V przy 250µA
Seria NexFET™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 4nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 585pF przy 12,5V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,5W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 12-UFBGA, DSBGA
Napięcie dren-źródło (Vdss) 25V	Obudowa dostawcy urządzenia 12-DSBGA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,5A	Bazowy numer produktu CSD86311

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 692

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Po wyczerpaniu dostępnych zapasów tego produktu, obowiązywać będą standardowe opakowania i czasy realizacji określone przez producenta.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT)

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	5,75000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,07250 zł

CSD86311W1723