CSD25201W15 Texas Instruments | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

CSD25201W15
Numer produktu DigiKey	296-27609-2-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Texas Instruments
Numer produktu producenta	CSD25201W15
Opis	MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 4A (Ta) 1,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 9-DSBGA
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CSD25201W15 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Texas Instruments
Seria	NexFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	40mOhm przy 2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	-6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	510 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	9-DSBGA
Obudowa / skrzynia	9-UFBGA, DSBGA
Bazowy numer produktu	CSD25201

CSD25201W15