
STW26N60M2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | STW26N60M2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | STW26N60M2 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 20 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | STW26N60M2 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 34 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±25V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1360 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 169W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247-3 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 165mOhm przy 10A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 587 | 846-R6022YNZ4C13-ND | 26,82000 zł | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | 38,24000 zł | Similar |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 378 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | 26,03000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 15,87000 zł | 15,87 zł |
| 10 | 10,44600 zł | 104,46 zł |
| 100 | 7,35680 zł | 735,68 zł |
| 600 | 5,91973 zł | 3 551,84 zł |
| 1 200 | 5,51526 zł | 6 618,31 zł |
| 2 400 | 5,17532 zł | 12 420,77 zł |
| 5 400 | 5,08412 zł | 27 454,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 15,87000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 19,52010 zł |

