Name: STS8DN3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10391-2-ND
Price: 10.7379 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STS8DN3LLH5
Numer produktu DigiKey	497-10391-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-10391-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-10391-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STS8DN3LLH5
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 10A 2,7W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STS8DN3LLH5 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 19mOhm przy 5A, 10V
Producent STMicroelectronics	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Seria STripFET™ V	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 5,4nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 724pF przy 25V
Status części Aktywny	Moc - maks. 2,7W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 10A	Bazowy numer produktu STS8DN3