Name: STS8DN3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10391-2-ND
Price: 10.2213 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STS8DN3LLH5
Numer produktu DigiKey	497-10391-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-10391-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-10391-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STS8DN3LLH5
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 10A 2,7W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STS8DN3LLH5 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	STMicroelectronics
Seria	STripFET™ V
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	19mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5,4nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	724pF przy 25V
Moc - maks.	2,7W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	STS8DN3