STP9NK65Z jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar

AOT10N65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,90633 zł
Arkusz danych

Similar

AOT4S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

AOT7N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,15401 zł
Arkusz danych

Similar

AOT8N65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

AOT9N70
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,55698 zł
Arkusz danych

Similar

FCP4N60
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IRFB9N65APBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFP10N80P
IXYS
W magazynie: 240
Cena jednostkowa : 25,64000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFP7N60P3
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,91340 zł
Arkusz danych

Similar

SPP04N60C3XKSA1
Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 650 V 6,4A (Tc) 125W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP9NK65Z

Numer produktu DigiKey
STP9NK65Z-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STP9NK65Z
Opis
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 6,4A (Tc) 125W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP9NK65Z Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
SuperMESH™
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
6,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,2Ohm przy 3,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1145 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
STP9NK65
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1 0004,94882 zł4 948,82 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:4,94882 zł
Cena jednostkowa z VAT:6,08705 zł