STP16N60M2 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

STP18N60M2
STMicroelectronics
W magazynie: 267
Cena jednostkowa : 10,42000 zł
Arkusz danych

Similar

FCP11N60F
onsemi
W magazynie: 2 052
Cena jednostkowa : 16,18000 zł
Arkusz danych

Similar

FCP380N60
onsemi
W magazynie: 2 299
Cena jednostkowa : 14,16000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFP12N65X2
IXYS
W magazynie: 158
Cena jednostkowa : 18,56000 zł
Arkusz danych

Similar

IXTP12N70X2
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,31210 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 12A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP16N60M2

Numer produktu DigiKey
497-16022-5-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STP16N60M2
Opis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 12A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Modele EDA/CAD
STP16N60M2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
MDmesh™ M2
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
320mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
700 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
STP16
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.