STP13NM60ND STMicroelectronics | Półprzewodniki dyskretne

Kanał N 600 V 11A (Tc) 109W (Tc) Otwór przelotowy TO-220

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP13NM60ND
Numer produktu DigiKey	497-13881-5-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STP13NM60ND
Opis	MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 11A (Tc) 109W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STP13NM60ND Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	FDmesh™ II
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	380mOhm przy 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	24.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	845 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	109W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	STP13

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 25

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	17,97000 zł	17,97 zł

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.