STP120N4F6 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,24722 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Texas Instruments
W magazynie: 484
Cena jednostkowa : 8,96000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 70
Cena jednostkowa : 11,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,17720 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,28000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 44
Cena jednostkowa : 8,14000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,42162 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 516
Cena jednostkowa : 5,71000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,20737 zł
Arkusz danych
Kanał N 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP120N4F6

Numer produktu DigiKey
497-10962-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STP120N4F6
Opis
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP120N4F6 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
4,3mOhm przy 40A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3850 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
18,64000 zł8,64 zł
504,23060 zł211,53 zł
1003,79960 zł379,96 zł
5003,04390 zł1 521,95 zł
1 0002,80094 zł2 800,94 zł
2 0002,59666 zł5 193,32 zł
5 0002,44373 zł12 218,65 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:8,64000 zł
Cena jednostkowa z VAT:10,62720 zł