STP120N4F6 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,35258 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Texas Instruments
W magazynie: 589
Cena jednostkowa : 9,19000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 70
Cena jednostkowa : 11,27000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,30560 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,75220 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 50
Cena jednostkowa : 8,34000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,48170 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 56
Cena jednostkowa : 5,86000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 98
Cena jednostkowa : 5,23000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 75
Cena jednostkowa : 8,75000 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,23732 zł
Arkusz danych
TO-220-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP120N4F6

Numer produktu DigiKey
497-10962-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STP120N4F6
Opis
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP120N4F6 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
4,3mOhm przy 40A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3850 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
19,44000 zł9,44 zł
504,62840 zł231,42 zł
1004,16180 zł416,18 zł
5003,34312 zł1 671,56 zł
1 0003,08000 zł3 080,00 zł
2 0002,85877 zł5 717,54 zł
5 0002,72166 zł13 608,30 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:9,44000 zł
Cena jednostkowa z VAT:11,61120 zł