IRF40B207 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF40B207 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Infineon Technologies

W magazynie: 516

Cena jednostkowa : 6,36000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF40B207
Numer produktu DigiKey	448-IRF40B207-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF40B207
Opis	MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 95A (Tc) 83W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF40B207 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,9V przy 50µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 68 nC @ 10 V
Seria HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Rurka	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2110 pF @ 25 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 83W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-220AB
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 95A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-220-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu IRF40B207
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,5mOhm przy 57A, 10V