Name: STL50N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STL50N6F7TR-ND
Price: 6.396 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STL50N6F7
Numer produktu DigiKey	497-STL50N6F7TR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-STL50N6F7CT-ND - Taśma cięta (CT) 497-STL50N6F7DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STL50N6F7
Opis	MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 60A (Tc) 71W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerFlat™ (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STL50N6F7 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	STripFET™ F7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11mOhm przy 7,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1035 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	71W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerFlat™ (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	STL50