Name: DMN6013LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFGQ-7DITR-ND
Price: 5.9409 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

DMN6013LFGQ-7
Numer produktu DigiKey	DMN6013LFGQ-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN6013LFGQ-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN6013LFGQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN6013LFGQ-7
Opis	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 10,3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10,3A (Ta), 45A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	13mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2577 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	POWERDI3333-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	DMN6013

Cena jednostkowa bez VAT:	4,83000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,94090 zł

DMN6013LFGQ-7