Name: STH315N10F7-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14719-2-ND
Price: 23.8989 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STH315N10F7-6
Numer produktu DigiKey	497-14719-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-14719-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-14719-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STH315N10F7-6
Opis	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STH315N10F7-6 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 180 nC @ 10 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (maks.) ±20V
Seria DeepGATE™, STripFET™ VII	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 12800 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 315W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 180A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia H2PAK-6
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,3mOhm przy 60A, 10V	Bazowy numer produktu STH315
Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA