Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14718-2-ND
Price: 24.5139 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STH315N10F7-2
Numer produktu DigiKey	497-14718-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-14718-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-14718-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STH315N10F7-2
Opis	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-2
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 180 nC @ 10 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (maks.) ±20V
Seria DeepGATE™, STripFET™ VII	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 12800 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 315W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 180A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia H2PAK-2
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,3mOhm przy 60A, 10V	Bazowy numer produktu STH315
Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA