Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 23.6775 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

STH2N120K5-2AG
Numer produktu DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Taśma cięta (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STH2N120K5-2AG
Opis	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 1,5A (Tc) 60W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STH2N120K5-2AG Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	124 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	60W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	H2PAK-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	STH2N120

Cena jednostkowa bez VAT:	19,25000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	23,67750 zł

STH2N120K5-2AG