Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 24.6861 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STH2N120K5-2AG
Numer produktu DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Taśma cięta (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STH2N120K5-2AG
Opis	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 1,5A (Tc) 60W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STH2N120K5-2AG Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 5.3 nC @ 10 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 124 pF @ 100 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 60W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,5A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa dostawcy urządzenia H2PAK-2
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 10Ohm przy 500mA, 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 100µA	Bazowy numer produktu STH2N120