Name: STH200N10WF7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH200N10WF7-2TR-ND
Price: 30.6516 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STH200N10WF7-2
Numer produktu DigiKey	497-STH200N10WF7-2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-STH200N10WF7-2CT-ND - Taśma cięta (CT) 497-STH200N10WF7-2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STH200N10WF7-2
Opis	MOSTFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 180A (Tc) 340W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-2
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	180A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4mOhm przy 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	93 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4430 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	340W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	H2PAK-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB