Name: STD18N55M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STD18N55M5TR-ND
Price: 17.2446 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STD18N55M5
Numer produktu DigiKey	497-STD18N55M5TR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-STD18N55M5CT-ND - Taśma cięta (CT) 497-STD18N55M5DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STD18N55M5
Opis	MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STD18N55M5 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	MDmesh™ V
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	550 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	16A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	192mOhm przy 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1260 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	110W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D-PAK
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	STD18