Name: STD10N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16924-2-ND
Price: 9.1881 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STD10N60DM2
Numer produktu DigiKey	497-16924-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-16924-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-16924-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STD10N60DM2
Opis	MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 8A (Tc) 109W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STD10N60DM2 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	MDmesh™ DM2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	530mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	529 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	109W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D-PAK
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	STD10