Name: SCT040TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040TO65G3TR-ND
Price: 43.3083 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT040TO65G3
Numer produktu DigiKey	497-SCT040TO65G3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-SCT040TO65G3CT-ND - Taśma cięta (CT) 497-SCT040TO65G3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCT040TO65G3
Opis	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 35A (Tc) 288W (Tc) Montaż powierzchniowy TOLL (WN)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	35A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	63mOhm przy 20A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,2V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	42.5 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+18V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	853 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	288W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TOLL (WN)
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	SCT040