Kanał N 650 V 55A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HPSOF
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTBL032N065M3S

Numer produktu DigiKey
488-NTBL032N065M3S-ND
Producent
Numer produktu producenta
NTBL032N065M3S
Opis
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Standardowy czas realizacji przez producenta
21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 55A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HPSOF
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
44mOhm przy 15A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 7,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1396 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
227W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-HPSOF
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 591
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
130,74000 zł30,74 zł
1020,96500 zł209,65 zł
10015,42780 zł1 542,78 zł
50013,38232 zł6 691,16 zł
Cena jednostkowa bez VAT:30,74000 zł
Cena jednostkowa z VAT:37,81020 zł