Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 54.30296 PLN
Availability: OutOfStock

Nowości w DigiKey

Kanał N 1200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Montaż powierzchniowy HU3PAK

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT019HU120G3AG
Numer produktu DigiKey	497-SCT019HU120G3AG-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCT019HU120G3AG
Opis	SIC MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Montaż powierzchniowy HU3PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	ECOPACK®
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	90A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	26mOhm przy 40A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,2V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	111.2 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2789 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	HU3PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Zbiorcze