Kanał N 1200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Montaż powierzchniowy HU3PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT019HU120G3AG

Numer produktu DigiKey
497-SCT019HU120G3AG-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
SCT019HU120G3AG
Opis
SIC MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta
22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Montaż powierzchniowy HU3PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
ECOPACK®
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
90A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
26mOhm przy 40A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,2V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
111.2 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2789 pF @ 800 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
500W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
HU3PAK
Obudowa / skrzynia
TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
175,51000 zł75,51 zł
1054,03100 zł540,31 zł
10041,91940 zł4 191,94 zł
60039,68283 zł23 809,70 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:75,51000 zł
Cena jednostkowa z VAT:92,87730 zł
Mogą Cię również zainteresować
1 Pozycje
SCT011HU75G3AG

SCT011HU75G3AG

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

STMicroelectronics

96,09000 zł