Name: SCT011HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT011HU75G3AGTR-ND
Price: 112.5942 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT011HU75G3AG
Numer produktu DigiKey	497-SCT011HU75G3AGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-SCT011HU75G3AGCT-ND - Taśma cięta (CT) 497-SCT011HU75G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCT011HU75G3AG
Opis	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 750 V 110A (Tc) 652W (Tc) Montaż powierzchniowy HU3PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	750 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	110A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	15mOhm przy 80A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,2V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	154 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+18V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3860 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	652W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	HU3PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	SCT011H