
GCMX040A120B3H1P | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1560-GCMX040A120B3H1P-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | GCMX040A120B3H1P |
Opis | MOSFET 4N-CH 1200V 53A |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 53A (Tc) 208W (Tc) Montaż na podstawie montażowej |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | SemiQ | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taca | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | Węglik krzemu (SiC) | |
Konfiguracja | 4 z kanałem N (pełny mostek) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 53A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 52mOhm przy 40A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 10mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 125nC przy 20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 3200pF przy 800V | |
Moc - maks. | 208W (Tc) | |
Temperatura robocza | -40°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa / skrzynia | Moduł | |
Obudowa dostawcy urządzenia | - |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 223,66000 zł | 223,66 zł |
| 10 | 171,11600 zł | 1 711,16 zł |
| 100 | 166,89600 zł | 16 689,60 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 223,66000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 275,10180 zł |


