Name: GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Price: 611.6544 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GCMX010A120B3H1P
Numer produktu DigiKey	1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Producent	SemiQ
Numer produktu producenta	GCMX010A120B3H1P
Opis	1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Montaż na podstawie montażowej
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	SemiQ
Seria	QSiC™
Opakowanie	Skrzynka
Status części	Aktywny
Technologia	Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja	4 z kanałem N (pełny mostek)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	201A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	14mOhm przy 100A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 40mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	428nC przy 20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10900pF przy 800V
Moc - maks.	600W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia	Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia	-