Nowości w DigiKey
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 500W (Tc) Montaż na podstawie montażowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GCMX008B120B3H1P

Numer produktu DigiKey
1560-GCMX008B120B3H1P-ND
Producent
Numer produktu producenta
GCMX008B120B3H1P
Opis
GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO
Standardowy czas realizacji przez producenta
6 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 500W (Tc) Montaż na podstawie montażowej
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Producent
SemiQ
Seria
Opakowanie
Skrzynka
Status części
Aktywny
Technologia
Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja
4 z kanałem N (pełny mostek)
Charakterystyka FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
120A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
12mOhm przy 100A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 120mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
493nC @ 18V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
14400pF przy 800V
Moc - maks.
500W (Tc)
Temperatura robocza
-40°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia
Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia
-
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 10
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Skrzynka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1321,95000 zł321,95 zł
10250,84600 zł2 508,46 zł
100240,08990 zł24 008,99 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:321,95000 zł
Cena jednostkowa z VAT:395,99850 zł