Name: SP8M51HZGTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SP8M51HZGTBTR-ND
Price: 11.2668 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SP8M51HZGTB
Numer produktu DigiKey	846-SP8M51HZGTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-SP8M51HZGTBCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-SP8M51HZGTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	SP8M51HZGTB
Opis	MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 3A (Ta), 2,5A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Producent Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8,5nC przy 5V, 12,5nC przy 5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 610pF przy 25V, 1550pF przy 25V
Status części Aktywny	Moc - maks. 2W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3A (Ta), 2,5A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 170mOhm przy 3A, 10V, 290mOhm przy 2,5A, 10V	Bazowy numer produktu SP8M51