Name: SH8MA4TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8MA4TB1TR-ND
Price: 7.8597 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SH8MA4TB1
Numer produktu DigiKey	SH8MA4TB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SH8MA4TB1CT-ND - Taśma cięta (CT) SH8MA4TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	SH8MA4TB1
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 9A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 9A (Ta), 8.5A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Producent Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15,5nC przy 10V, 19,6nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 640pF przy 15V, 890pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 2W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9A (Ta), 8.5A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 21.4mOhm przy 9A, 10V, 29.6mOhm przy 8.5A, 10V	Bazowy numer produktu SH8MA4