SCT2120AFC jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 1 253
Cena jednostkowa : 22,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 1 698
Cena jednostkowa : 93,70000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 790
Cena jednostkowa : 15,81000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 659
Cena jednostkowa : 19,69000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 921
Cena jednostkowa : 9,96000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 298
Cena jednostkowa : 22,00000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 4 398
Cena jednostkowa : 23,31000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 77
Cena jednostkowa : 21,48000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 255
Cena jednostkowa : 24,81000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 367
Cena jednostkowa : 17,46000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 353
Cena jednostkowa : 27,67000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 23
Cena jednostkowa : 17,49000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 260
Cena jednostkowa : 16,65000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 348
Cena jednostkowa : 14,86000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

Numer produktu DigiKey
SCT2120AFC-ND
Producent
Numer produktu producenta
SCT2120AFC
Opis
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
156mOhm przy 10A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 3,3mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1200 pF @ 500 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
165W (Tc)
Temperatura robocza
175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.