Name: RUF025N02TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RUF025N02TLTR-ND
Price: 4.4526 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RUF025N02TL
Numer produktu DigiKey	RUF025N02TLTR-ND - Taśma i szpula (TR) RUF025N02TLCT-ND - Taśma cięta (CT) RUF025N02TLDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RUF025N02TL
Opis	MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2,5A (Ta) 320mW (Ta) Montaż powierzchniowy TUMT3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RUF025N02TL Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	54mOhm przy 2,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,3V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	370 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	320mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TUMT3
Obudowa / skrzynia	3-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	RUF025