Name: RSQ035P03HZGTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RSQ035P03HZGTR-ND
Price: 5.3628 PLN
Availability: OutOfStock

RSQ035P03HZGTR nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Rohm Semiconductor

W magazynie: 2 035

Cena jednostkowa : 17,85000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 1 950

Cena jednostkowa : 17,68000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RSQ035P03HZGTR
Numer produktu DigiKey	846-RSQ035P03HZGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RSQ035P03HZGCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RSQ035P03HZGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RSQ035P03HZGTR
Opis	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 3,5A (Ta) 950mW (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT6 (SC-95)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	65mOhm przy 3,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	9.2 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	780 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	950mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TSMT6 (SC-95)
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Bazowy numer produktu	RSQ035