Name: RS1E260ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E260ATTB1TR-ND
Price: 18.6345 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RS1E260ATTB1
Numer produktu DigiKey	RS1E260ATTB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) RS1E260ATTB1CT-ND - Taśma cięta (CT) RS1E260ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RS1E260ATTB1
Opis	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RS1E260ATTB1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 175 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7850 pF @ 15 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 3W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 26A (Ta), 80A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-HSOP
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3.1mOhm przy 26A, 10V	Bazowy numer produktu RS1E