Name: RRQ030P03HZGTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RRQ030P03HZGTR-ND
Price: 4.6371 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RRQ030P03HZGTR
Numer produktu DigiKey	846-RRQ030P03HZGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RRQ030P03HZGCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RRQ030P03HZGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RRQ030P03HZGTR
Opis	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 3A (Ta) 950mW (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT6 (SC-95)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	125mOhm przy 1,5A, 4V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5.2 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	480 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	950mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TSMT6 (SC-95)
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Bazowy numer produktu	RRQ030