Name: RQ6L020SPTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6L020SPTCRTR-ND
Price: 7.6383 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ6L020SPTCR
Numer produktu DigiKey	RQ6L020SPTCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ6L020SPTCRCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ6L020SPTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ6L020SPTCR
Opis	MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 2A (Ta) 1,25W (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT6 (SC-95)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ6L020SPTCR Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 7.2 nC @ 5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 750 pF @ 10 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 1,25W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia TSMT6 (SC-95)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4V, 10V	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 210mOhm przy 2A, 10V	Bazowy numer produktu RQ6L020