Name: RQ6E085BNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E085BNTCRTR-ND
Price: 6.7527 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ6E085BNTCR
Numer produktu DigiKey	RQ6E085BNTCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ6E085BNTCRCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ6E085BNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ6E085BNTCR
Opis	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 8,5A (Tc) 1,25W (Tc) Montaż powierzchniowy TSMT6 (SC-95)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ6E085BNTCR Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 32.7 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1350 pF @ 15 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 1,25W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8,5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TSMT6 (SC-95)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 14,4mOhm przy 8,5A, 10V	Bazowy numer produktu RQ6E085