SIS443DN-T1-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

DI040P04PT-AQ
Diotec Semiconductor
W magazynie: 4 983
Cena jednostkowa : 4,79000 zł
Arkusz danych

Similar

RQ3E110AJTB
Rohm Semiconductor
W magazynie: 13 245
Cena jednostkowa : 4,21000 zł
Arkusz danych

Similar

RQ3G100GNTB
Rohm Semiconductor
W magazynie: 49 634
Cena jednostkowa : 2,93000 zł
Arkusz danych

Similar

RQ3L050GNTB
Rohm Semiconductor
W magazynie: 10 495
Cena jednostkowa : 4,47000 zł
Arkusz danych

Similar

RQ7E110AJTCR
Rohm Semiconductor
W magazynie: 342
Cena jednostkowa : 5,49000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
SIS176LDN-T1-GE3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIS443DN-T1-GE3

Numer produktu DigiKey
SIS443DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR)
SIS443DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT)
SIS443DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Vishay Siliconix
Numer produktu producenta
SIS443DN-T1-GE3
Opis
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał P 40 V 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SIS443DN-T1-GE3 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Vishay Siliconix
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał P
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
35A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
11,7mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
4370 pF @ 20 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PowerPAK® 1212-8
Obudowa / skrzynia
PowerPAK® 1212-8
Bazowy numer produktu
SIS443
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
17,83000 zł7,83 zł
105,00300 zł50,03 zł
1003,39060 zł339,06 zł
5002,70064 zł1 350,32 zł
1 0002,57591 zł2 575,91 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3 0002,19720 zł6 591,60 zł
6 0002,10450 zł12 627,00 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:7,83000 zł
Cena jednostkowa z VAT:9,63090 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
10 Pozycje
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

5,45000 zł
TMP102AIDRLR

TMP102AIDRLR

SENSOR DIGITAL -40C-125C SOT563

Texas Instruments

3,73000 zł
20021121-00010T4LF

20021121-00010T4LF

CONN HEADER SMD 10POS 1.27MM

Amphenol ICC (FCI)

3,26000 zł
TPD4E1U06DCKR

TPD4E1U06DCKR

TVS DIODE 5.5VWM 15VC SC706

Texas Instruments

2,12000 zł
TPS71701DCKR

TPS71701DCKR

IC REG LIN POS ADJ 150MA SC-70-5

Texas Instruments

4,21000 zł
TPS60403DBVR

TPS60403DBVR

IC REG CHG PUMP INV 60MA SOT23-5

Texas Instruments

3,81000 zł
FDMC8327L

FDMC8327L

MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP

onsemi

4,98000 zł
SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,75000 zł
QAT-3+

QAT-3+

RF ATTENUATOR 3DB 50OHM 6TDFN

Mini-Circuits

82,09000 zł
SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

8,67000 zł