


RQ3E110AJTB | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | RQ3E110AJTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ3E110AJTBCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ3E110AJTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | RQ3E110AJTB |
Opis | MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 21 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | RQ3E110AJTB Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 2,5V, 4,5V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 11.7mOhm przy 11A, 4.5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1,5V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V | |
Vgs (maks.) | ±12V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1500 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 2W (Ta) | |
Temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-HSMT (3,2x3) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,21000 zł | 4,21 zł |
| 10 | 2,62800 zł | 26,28 zł |
| 100 | 1,72500 zł | 172,50 zł |
| 500 | 1,33700 zł | 668,50 zł |
| 1 000 | 1,21201 zł | 1 212,01 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,05327 zł | 3 159,81 zł |
| 6 000 | 0,97335 zł | 5 840,10 zł |
| 9 000 | 0,93262 zł | 8 393,58 zł |
| 15 000 | 0,88755 zł | 13 313,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,21000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,17830 zł |

