Kanał N 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E110AJTB

Numer produktu DigiKey
RQ3E110AJTBTR-ND - Taśma i szpula (TR)
RQ3E110AJTBCT-ND - Taśma cięta (CT)
RQ3E110AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta
RQ3E110AJTB
Opis
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
RQ3E110AJTB Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
11A (Ta), 24A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
11.7mOhm przy 11A, 4.5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
1,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1500 pF @ 15 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2W (Ta)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-HSMT (3,2x3)
Obudowa / skrzynia
8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu
RQ3E110
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 12 902
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
14,42000 zł4,42 zł
102,75800 zł27,58 zł
1001,81080 zł181,08 zł
5001,40350 zł701,75 zł
1 0001,27236 zł1 272,36 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3 0001,10569 zł3 317,07 zł
6 0001,02178 zł6 130,68 zł
9 0000,97904 zł8 811,36 zł
15 0000,93103 zł13 965,45 zł
21 0000,90260 zł18 954,60 zł
30 0000,87497 zł26 249,10 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:4,42000 zł
Cena jednostkowa z VAT:5,43660 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
3 Pozycje
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

8,22000 zł
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT

Rohm Semiconductor

3,09000 zł
DI040P04PT-AQ

DI040P04PT-AQ

MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A

Diotec Semiconductor

5,03000 zł