Name: RQ3C150BCTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3C150BCTBTR-ND
Price: 7.7859 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ3C150BCTB
Numer produktu DigiKey	RQ3C150BCTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ3C150BCTBCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ3C150BCTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ3C150BCTB
Opis	MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 30A (Tc) 20W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ3C150BCTB Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,7mOhm przy 15A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4800 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	20W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HSMT (3,2x3)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	RQ3C150