Name: RH7P04BBKFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH7P04BBKFRATCBTR-ND
Price: 11.3529 PLN
Availability: InStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RH7P04BBKFRATCB
Numer produktu DigiKey	846-RH7P04BBKFRATCBTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RH7P04BBKFRATCBCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RH7P04BBKFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RH7P04BBKFRATCB
Opis	NCH 100V 40A, DFN3333T8LSAB, POW
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 40A (Tc) 75W (Tc) Montaż powierzchniowy DFN3333T8LSAB
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 19.8 nC @ 10 V
Prod. Rohm Semiconductor	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1030 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 75W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 40A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia DFN3333T8LSAB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 13,8mOhm przy 20A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA