Name: RH6L040BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH6L040BGTB1TR-ND
Price: 13.2102 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RH6L040BGTB1
Numer produktu DigiKey	846-RH6L040BGTB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RH6L040BGTB1CT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RH6L040BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RH6L040BGTB1
Opis	NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 40A (Tc) 59W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 18.8 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1320 pF @ 30 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 59W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 40A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-HSMT (3,2x3)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,1mOhm przy 40A, 10V	Bazowy numer produktu RH6L040