Name: RD3P200SNFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P200SNFRATLTR-ND
Price: 17.3553 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RD3P200SNFRATL
Numer produktu DigiKey	RD3P200SNFRATLTR-ND - Taśma i szpula (TR) RD3P200SNFRATLCT-ND - Taśma cięta (CT) RD3P200SNFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RD3P200SNFRATL
Opis	MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 20A (Ta) 20W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RD3P200SNFRATL Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 55 nC @ 10 V
Prod. Rohm Semiconductor	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2100 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 20W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 20A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 46mOhm przy 20A, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA	Bazowy numer produktu RD3P200