Name: RD3P100SNTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P100SNTL1TR-ND
Price: 8.8191 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RD3P100SNTL1
Numer produktu DigiKey	RD3P100SNTL1TR-ND - Taśma i szpula (TR) RD3P100SNTL1CT-ND - Taśma cięta (CT) RD3P100SNTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RD3P100SNTL1
Opis	MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 10A (Ta) 20W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RD3P100SNTL1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	133mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	700 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	20W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	RD3P100