Name: R6009RND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6009RND3TL1TR-ND
Price: 6.8019 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

R6009RND3TL1
Numer produktu DigiKey	846-R6009RND3TL1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-R6009RND3TL1CT-ND - Taśma cięta (CT) 846-R6009RND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	R6009RND3TL1
Opis	600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	665mOhm przy 4,5A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	7V przy 5,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	22 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	640 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	125W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	R6009

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 2 131

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®