


QH8KC5TCR | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 846-QH8KC5TCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-QH8KC5TCRCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-QH8KC5TCRDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | QH8KC5TCR |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 3A (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | QH8KC5TCR Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Rohm Semiconductor | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 60V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 3A (Ta) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 90mOhm przy 3A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 3,1nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 135pF przy 30V | |
Moc - maks. | 1,1W (Ta) | |
Temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SMD, odprowadzenia płaskie | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TSMT8 | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,37000 zł | 4,37 zł |
| 10 | 2,74400 zł | 27,44 zł |
| 100 | 1,80410 zł | 180,41 zł |
| 500 | 1,40074 zł | 700,37 zł |
| 1 000 | 1,27081 zł | 1 270,81 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,10577 zł | 3 317,31 zł |
| 6 000 | 1,02267 zł | 6 136,02 zł |
| 9 000 | 0,98034 zł | 8 823,06 zł |
| 15 000 | 0,94003 zł | 14 100,45 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,37000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,37510 zł |

