
HS8K11TB | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | HS8K11TBTR-ND - Taśma i szpula (TR) HS8K11TBCT-ND - Taśma cięta (CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | HS8K11TB |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 7A, 11A 2W Montaż powierzchniowy HSML3030L10 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | HS8K11TB Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Rohm Semiconductor | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 7A, 11A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 17,9mOhm przy 7A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 11,1nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 500pF przy 15V | |
Moc - maks. | 2W | |
Temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-UDFN podkładka odsłonięta | |
Obudowa dostawcy urządzenia | HSML3030L10 | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 3,67000 zł | 3,67 zł |
| 10 | 2,29600 zł | 22,96 zł |
| 100 | 1,49780 zł | 149,78 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,90316 zł | 2 709,48 zł |
| 6 000 | 0,83237 zł | 4 994,22 zł |
| 9 000 | 0,79631 zł | 7 166,79 zł |
| 15 000 | 0,75579 zł | 11 336,85 zł |
| 21 000 | 0,73827 zł | 15 503,67 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,67000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 4,51410 zł |

