Nowości w DigiKey
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Otwór przelotowy 20-HSDIP
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BST70B2P4K01-VC

Numer produktu DigiKey
846-BST70B2P4K01-VC-ND
Producent
Numer produktu producenta
BST70B2P4K01-VC
Opis
HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
Standardowy czas realizacji przez producenta
27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Otwór przelotowy 20-HSDIP
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Producent
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Skrzynka
Status części
Aktywny
Technologia
Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja
4 z kanałem N (pełny mostek)
Charakterystyka FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
70A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
25mOhm przy 70A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,8V przy 22,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
170nC przy 18V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
4500pF przy 800V
Moc - maks.
385W (Tc)
Temperatura robocza
-40°C - 175°C
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
Moduł 20-PowerDIP (1,508", 38,30mm)
Obudowa dostawcy urządzenia
20-HSDIP
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 4
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Skrzynka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1394,14000 zł394,14 zł
10330,94700 zł3 309,47 zł
60303,45233 zł18 207,14 zł
120296,01550 zł35 521,86 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:394,14000 zł
Cena jednostkowa z VAT:484,79220 zł