
BST47T1P4K01-VC | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 846-BST47T1P4K01-VC-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | BST47T1P4K01-VC |
Opis | HSDIP20, 750V, 47A, 3-PHASE-BRID |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 750V 47A (Tc) 227W (Tc) Otwór przelotowy 20-HSDIP |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Rohm Semiconductor | |
Seria | - | |
Opakowanie | Skrzynka | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | Węglik krzemu (SiC) | |
Konfiguracja | 6 N-Channel (Phase Leg) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 750V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 47A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 37mOhm przy 47A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,8V przy 15,4mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 97nC przy 18V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2300pF przy 500V | |
Moc - maks. | 227W (Tc) | |
Temperatura robocza | -40°C - 175°C | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa / skrzynia | Moduł 20-PowerDIP (1,508", 38,30mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 20-HSDIP |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 306,46000 zł | 306,46 zł |
| 10 | 255,52300 zł | 2 555,23 zł |
| 60 | 233,36783 zł | 14 002,07 zł |
| 120 | 227,37525 zł | 27 285,03 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 306,46000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 376,94580 zł |




